MOSFET
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为电子电路中广泛应用的开关器件，其工作特性高度依赖于内部电压参数的相互作用。尤其是栅极-源极电压（Vgs）与漏极-源极电压（Vds）之间的关系，不仅影响MOSFET的导通与截止状态，还决定了其工作区域和整体性能。
MOS管管脚判定
G极(gate)—栅极，不用说比较好认； 封装上左下角为G极； S极(source)—源极，P沟和N沟均交汇处； 封装上右下角为S极； D极(drain)—漏极，P沟和N沟单引线；
箭头指向G极的是N沟道； 箭头背向G极的是P沟道；
有没有经常遇到P-MOS、N-MOS原理图符号分不清的时候，P谐音同“屁”，这个化学及物理效应是冲外的→ 可以把箭头理解为PN结方向，P-Sub工艺中，NMOS符号是Bulk指向Gate，那么很显然Bulk是P-type substrate，Diffusion是N-type，所以这是个N-channel MOSFET
寄生二极管方向均是与箭头方向一致的；
借助万用表来进行寄生二极管来判定：将万用表调到二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，如果有数值显示反过来无数值，则说明是NMOS管；总体情况相反的话，则是PMOS管。
MOS管做开关时电流方向： 
如图中红线箭头所示电流流向，导通条件是：|Ugs|>|Ugs(th)|
PMOS管源极接VCC（高端驱动），NMOS管适用于源极接地（低端驱动）；
符号画法： 
设计MOS管电路的几个基本参数：
①封装 表贴、插装；
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
MOSFET导通过程详细分析
T0~T1：驱动通过Rgate对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升 
T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全部电压Vdd 
T2~T3：T2时刻 Id达到饱和并维持稳定值，MOS管工作在饱和区，Vgs固定不变， 电压Vds开始下降。此期间Cgs不再消耗电荷， VDD开始给Cgd提供放电电流 
T3~T4： 电压Vds下降到0V，VDD继续给Cgs充电，直至Vgs=VDD，MOSFET完成导通过程。 
重要说明
Vgs的各个阶段的时间跨度同栅极消耗电荷成比例（因△Q = IG△T，而IG在此处为恒流源之输出）。
T0 ~ T2跨度代表了Ciss（VGS+ CGD）所消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qgs(Gate to Source Charge)。
T2 ~ T3跨度代表了CGD（或称为米勒电容）消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。
T3时刻前消耗的所有电荷就是驱动电压为Vdd、电流为Id的MOSFET所需要完全开通的最少电荷需求量。T3以后消耗的额外电荷并不表示驱动所必须的电荷，只表示驱动电路提供的多余电荷而已 。
开关损失：在MOSFET导通的过程中，两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，那么这段时间里，MOS管损失的是电压和电流的乘积，称为开关损失。
导通损耗： MOS管在导通之后，电流在导通电阻上消耗能量，称为导通损耗
整体特性表现：
驱动电量要求：
△Q t0 ~ t4= (t4－t0 )IG = VG（CGS + CGD）+ VDDCGD
驱动电流要求：
IG =△Q t0 ~ t4 /(t4－t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3－t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)
驱动功率要求：
Pdrive=∫t4－t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG（CGS+CGD）+ VDDCGD〕
驱动电阻要求：
RG = VG / IG
一般地可以根据器件规格书提供的如下几个参数作为初期驱动设计的计算假设
- a) Qg(Total Gate Charge)：作为最小驱动电量要求。
b)相应地可得到最小驱动电流要求为IG ≈Qg/(td(on)+tr)。
c)Pdrive=VG *Qg作为最小驱动功率要求。
d)相应地，平均驱动损耗为VG *Qg*fs
MOSFET关断过程: 
https://blog.csdn.net/chenhuanqiangnihao/article/details/119917664